Kullanılabilirlik: | |
---|---|
Miktar: | |
DSU024N10N3A
WXDH
DSU024N10N3A
GEÇİŞ ÜCRETİ
100V
272a
100V/1.8MΩ/272A N-MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu Power MOSFET, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
AEC-Q101 Nitelikli
● Direnç düşük
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
PB içermeyen kaplama/halojensiz/rohs uyumlu
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
● DC-DC dönüştürücüler
● Tam köprü kontrolü
Otomotiv Uygulamaları
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
100V | 1.8 MΩ | 272a |
100V/1.8MΩ/272A N-MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu Power MOSFET, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
AEC-Q101 Nitelikli
● Direnç düşük
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
PB içermeyen kaplama/halojensiz/rohs uyumlu
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
● DC-DC dönüştürücüler
● Tam köprü kontrolü
Otomotiv Uygulamaları
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
100V | 1.8 MΩ | 272a |