100V/1,8mΩ/272A N-MOSFET DSU024N10N3A Paketa TOLL

100V/1.8mΩ/272A N-MOSFET

1 Përshkrimi 

Ky MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanaleve N përdor teknologjinë e avancuar Split Gate Trench, e cila siguron Rdson të shkëlqyeshëm dhe ngarkesë të ulët të portës në të njëjtën kohë. Që përputhet me standardin RoHS. 

2 Karakteristikat

• AEC-Q101 i kualifikuar

● Rezistencë e ulët 

● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt 

● Testi i energjisë së ortekëve me puls 100% të vetëm

● Testi 100% ΔVDS 

• Veshje pa pb/pa halogjen/në përputhje me RoHs
  

3 Aplikacionet 

● Aplikacionet e ndërrimit të energjisë

● Konvertuesit DC-DC

● Kontroll i plotë i urës

• Aplikacionet e automobilave

VDSS	RDS(aktiv) (TYP)	ID
100 V	1,8 mΩ	272A