MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 150V DHS110N15 TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 90 A y 150 V

1 Descripción 

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo

● Alta corriente de avalancha 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Control y accionamiento del motor. 

● Gestión de la batería 

● UPS (fuentes de alimentación ininterrumpida)

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
150V	9,7 mΩ	90A