90 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS110N15 TO-220C

90 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung

● Hoher Lawinenstrom 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
150V	9,7 mΩ	90A