90A 150V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHS110N15 TO-220C

90A 150V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu gücü MOSFET, aynı anda mükemmel Rdson ve düşük Geçit şarjı sağlayan gelişmiş Split Gate Trench teknolojisini kullanır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Düşük direnç

● Düşük kapı ücreti

● Yüksek çığ akıntısı 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları

● Motor kontrolü ve sürücü 

● Pil yönetimi 

● UPS(Kesintisiz Güç Kaynakları)

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
150V	9,7 mΩ	90A