90A 150V מצב שיפור מצב N-channel Power MOSFET
1 תיאור
MOSFET במצב שיפור N-channel זה משתמש בטכנולוגיית Split Gate Trench מתקדמת, המספקת Rdson מעולה וטעינת שער נמוכה בו זמנית. מה שמתאים לתקן RoHS.
2 תכונות
● התנגדות נמוכה
● טעינת שער נמוכה
● זרם מפולת גבוה
● מעבר מהיר
● קיבולי העברה הפוכה נמוכים
● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית
● 100% בדיקת ΔVDS
3 יישומים
● יישומי החלפת חשמל
● בקרת מנוע והנעה
● ניהול סוללות
● UPS (אל-פסק)
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
תְעוּדַת זֶהוּת |
| 150V |
9.7mΩ |
90A |