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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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25a 100V Modo de mejora del canal MOSFET D25N10 TO-252B

Estos VDMOSFets mejorados en el canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

25a 100V MODANCE DE MEDIA DE MEDIA DE MODANTE DEL CANAL


1 descripción

Estos VDMOSFets mejorados en el canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Cambio rápido

● Baja de resistencia (rdson≤36mΩ) 

● Baja carga de puerta (típica: 61 nc) 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típicas: 84pf) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones

● Aplicaciones de conmutación de encendido 

● Boost LED 

● Fuente de energía UPS

● Interruptor de carga


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
100V 30mΩ 25A


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