MOSFET de potencia D25N10 TO-252B del modo de mejora del canal N de 25A 100V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 25 A y 100 V

1 Descripción

Estos VDMOSFET mejorados de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un RDSON excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido

● Baja resistencia de encendido (Rdson≤36mΩ) 

● Carga de puerta baja (típica: 61 nC) 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típicas: 84 pF) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Impulso LED 

● Fuente de alimentación del SAI

● interruptor de carga

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	30mΩ	25A