25 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D25N10 TO-252B

25 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs nutzen ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden RDSON und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Niedriger EIN-Widerstand (Rdson≤36mΩ) 

● Niedrige Gate-Ladung (typisch: 61 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (typisch: 84 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen 

● LED-Boost 

● USV-Stromversorgung

● Lastschalter

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	30mΩ	25A