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25A 100V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET D25N10 TO-252B

これらの N チャネル強化 VDMOSFET は高度なトレンチ技術設計を使用しており、優れた RDSON と低いゲート電荷を実現します。 RoHS規格に準拠しています。
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25A 100V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET


1 説明

これらの N チャネル強化 VDMOSFET は高度なトレンチ技術設計を使用しており、優れた RDSON と低いゲート電荷を実現します。 RoHS規格に準拠しています。 


2 特徴 

●高速スイッチング

● 低オン抵抗(Rdson≦36mΩ) 

● 低いゲート電荷(標準値:61nC) 

● 低い逆転送容量(標準:84pF) 

● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験 

● 100% ΔVDS テスト 


3 アプリケーション

●電源スイッチング用途 

●LEDブースト 

●UPS電源

●ロードスイッチ


VDSS RDS(オン)(TYP) ID
100V 30mΩ 25A


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