25A 100V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET D25N10 TO-252B

25A 100V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullanılarak mükemmel RDSON ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı Geçiş

● Düşük AÇIK Direnç(Rdson≤36mΩ) 

● Düşük Geçit Şarjı (Tipik:61nC) 

● Düşük Ters Transfer Kapasiteleri (Tipik:84pF) 

● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi 

● %100 ΔVDS Testi 

3 Uygulama

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● LED Güçlendirme 

● UPS güç kaynağı

● Yük anahtarı

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
100V	30mΩ	25A