MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 25A, 100V, D25N10 TO-252B

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 25 A 100 V

1 Descriptif

Ces VDMOSFET améliorés à canal N utilisent une conception de technologie de tranchée avancée, fournissent un excellent RDSON et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

● Commutation rapide

● Faible résistance ON (Rdson≤36mΩ) 

● Charge de porte faible (typique : 61 nC) 

● Faibles capacités de transfert inverse (typique : 84 pF) 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test ΔVDS 100 % 

3 candidatures

● Applications de commutation de puissance 

● Amplification des LED 

● Alimentation UPS

● Interrupteur de charge

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
100V	30 mΩ	25A