未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet



Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Mosfet

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
7A 700 V Tryb wzmacniający N MOSFET MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700 V. 7a 英文版 D7N70 技术规格书 .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700 V. 10a 英文版 D10N70 技术规格书 Rev1.0.pdf
MOSFET B2N65 2A 650 V B2N65 TO-251B 650 V. 2a 英文版 B2N65 技术规格书 .pdf
4A 600 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4a 英文版 B4N60 技术规格书 .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 V. 4a 英文版 B4N80 技术规格书 .pdf
5A 650 V Tryb wzmacniający N MOSFET MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650 V. 5a 英文版 B5N65 技术规格书 Max.pdf
50A 200 V Tryb wzmocnienia kanałów N MOSFET F50N20 F50n20 Do-220f 200 V. 50a Device F50N20 Specyfikacja (1) .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C To-220C 650 V. 5a 英文版 5N65C 技术规格书 .pdf
8A 650 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 Do-220f 650 V. 8a F8n65 技术规格书 .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V. 7a 英文版 B7N70 技术规格书 .pdf
Noc MOSFET 13A 500V E13N50 do 263 E13N50 To-263 500 V. 13a 英文版 E13N50 技术规格书 .pdf
180A 60V NEC CANLANEM MOC MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 To-220C 60 V. 180a Donghai+DHS015N06 i DHS015N06E+Arkusz danych+Rev.1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E To-263 60 V. 180a Donghai+DHS015N06 i DHS015N06E+Arkusz danych+Rev.1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650 V. 5a 英文版 D5N65-XAD 技术规格书 .pdf
13A 100 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET18P10D TO-252B 18p10d TO-252B -100V -13a Device 18P10 Specyfikacja.pdf
100A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
18A 200 V Tryb wzmocnienia N-Kanałów MOSFET D18N20 TO-252B D18n20 TO-252B 200 V. 18a Device D18N20 Specyfikacja Rev.1.0.pdf
9A 200 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200 V. 9a Device 630 Specyfikacja.pdf
120A 98V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R To-220C 98v 120a Urządzenie DH90N045RSM2 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40a Urządzenie DH100P40D Specyfikacja.pdf

Wideo produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com