F20N65

20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy

1 Opis

Te krzemowe vdmosfety wzmocnione kanałem N są uzyskiwane dzięki technologii samonastawnej planarnej, która zmniejsza

utrata przewodzenia, poprawa wydajności pia, poprawa wydajności przełączania i zwiększenie energii lawinowej. Co jest zgodne ze standardem RoHS.

2 funkcje

● Szybkie przełączanie

● Niska rezystancja włączenia (Rdson≤0,5Ω)

● Niski poziom naładowania bramki (typ: 65nC)

● Niskie pojemności transferu zwrotnego (typ: 20pF)

● 100% test energii lawinowej przy pojedynczym impulsie

● 100% test ΔVDS

3 aplikacje

● Stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.

● Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki.

VDSS	RDS(wł.)(TYP)	ID
650 V	0,37 Ω	20A