F20N65

20A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ຊິລິໂຄນ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີ planar ຕົນເອງສອດຄ່ອງເຊິ່ງຫຼຸດຜ່ອນການ.

ການ​ສູນ​ເສຍ conduction​, ປັບ​ປຸງ​ການ​ສະ​ຫຼັບ​ປະ​ສິດ​ທິ​ພາບ​ແລະ​ເສີມ​ຂະ​ຫຍາຍ​ການ​ພະ​ລັງ​ງານ avalanche ໄດ້​. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.

2 ຄຸນສົມບັດ

● ການປ່ຽນໄວ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤0.5Ω)

● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 65nC)

● ຄວາມອາດສາມາດການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປະເພດ: 20pF)

● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆເພື່ອການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.

● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງອະແດບເຕີ ແລະເຄື່ອງສາກ.

VDSS	RDS(ເປີດ)(TYP)	ID
650V	0.37Ω	20A