F20N65

20A 650V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET

1 Leírás

Ezeket a szilícium N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló sík technológiával nyerik, amely csökkenti a

vezetési veszteség, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.

2 Jellemzők

● Gyors váltás

● Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤0,5Ω)

● Alacsony kaputöltés (Típus: 65 nC)

● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 20pF)

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt

3 Alkalmazások

● Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.

● Az adapter és a töltő tápkapcsoló áramköre.

VDSS	RDS(be)(TYP)	ID
650V	0,37Ω	20A