F20N65

20A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή

Αυτά τα vdmosfets ενισχυμένα με κανάλια πυριτίου N, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την

απώλεια αγωγιμότητας, βελτίωση της απόδοσης μεταγωγής και ενίσχυση της ενέργειας χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.

2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή

● Αντίσταση χαμηλής ενεργοποίησης (Rdson≤0,5Ω)

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 65nC)

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (τύπος: 20pF)

● Ενεργειακή δοκιμή 100% Single Pulse Avalanche

● 100% ΔVDS Test

3 Εφαρμογές

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση συστήματος και υψηλότερη απόδοση.

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας προσαρμογέα και φορτιστή.

VDSS	RDS(ενεργό)(TYP)	ταυτότητα
650V	0,37Ω	20Α