F20N65

20A 650V N-Canal Modo de mejora MOSFET

1 descripción

Estos vdMosfets mejorados por canal de silicio se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce el

Pérdida de conducción, mejorar el rendimiento del cambio y mejorar la energía de avalancha. Que concuerda con el estándar ROHS.

2 características

● Cambio rápido

● Baja de resistencia (rdson≤0.5Ω)

● Baja carga de puerta (típ: 65 nc)

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 20pf)

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.

● Circuito de interruptor de encendido de adaptador y cargador.