F20N65

20A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 คำอธิบาย

vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วยซิลิคอน N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีภาพถ่ายแนวระนาบในตัวเองซึ่งช่วยลด

การสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS

2 คุณสมบัติ

● การสลับอย่างรวดเร็ว

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤0.5Ω)

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 65nC)

● ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 20pF)

● การทดสอบพลังงานถล่มแบบพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100%

3 การใช้งาน

● ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น

● วงจรสวิตช์ไฟของอะแดปเตอร์และอุปกรณ์ชาร์จ

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
650V	0.37Ω	20เอ