F20N65

20A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse

Disse silisium N-kanal forbedrede vdmosfets, er oppnådd av den selvjusterte plane teknologien som reduserer

ledningstap, forbedre bytteytelsen og forbedre skredenergien. Som samsvarer med RoHS-standarden.

2 funksjoner

● Rask veksling

● Lav motstand (Rdson≤0,5Ω)

● Lav portlading (Type: 65nC)

● Lave reversoverføringskapasitanser (Type: 20pF)

● 100 % Single Pulse Avalanche Energy Test

● 100 % ΔVDS-test

3 applikasjoner

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet.

● Strømbryterkrets for adapter og lader.

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
650V	0,37Ω	20A