F20N65

20A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս սիլիկոնային N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է

հաղորդունակության կորուստ, բարելավել անջատման կատարումը և բարձրացնել ավալանշի էներգիան: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:

2 Հատկանիշներ

● Արագ միացում

● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤0,5Ω)

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 65nC)

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 20 pF)

● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test

● 100% ΔVDS թեստ

3 Դիմումներ

● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:

● Ադապտերի և լիցքավորիչի հոսանքի անջատիչի միացում:

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
650 Վ	0.37Ω	20 Ա