F20N65

20A 650V N-kanaal Verbeteringsmodus Krag MOSFET

1 Beskrywing

Hierdie silikon N-kanaal verbeterde vdmosfets, word verkry deur die self-belynde planêre tegnologie wat die

geleiding verlies, verbeter skakel prestasie en verbeter die stortvloed energie. Wat ooreenstem met die RoHS-standaard.

2 Kenmerke

● Vinnige skakeling

● Laag op weerstand (Rdson≤0.5Ω)

● Lae heklading (tipe: 65nC)

● Lae omgekeerde oordragkapasitansies (tipe: 20pF)

● 100% Enkelpulsstortingsenergietoets

● 100% ΔVDS-toets

3 Toepassings

● Word gebruik in verskeie kragskakelkringe vir stelselminiaturisering en hoër doeltreffendheid.

● Kragskakelaarkring van adapter en laaier.

VDSS	RDS(aan)(TIP)	ID
650V	0,37Ω	20A