F20N65

20A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu silikon N-kanallı geliştirilmiş vdmosfet'ler, kendi kendine hizalanan düzlemsel teknolojiyle elde edilir ve bu teknoloji,

İletim kaybı, anahtarlama performansını artırır ve çığ enerjisini artırır. RoHS standardına uygundur.

2 Özellikler

● Hızlı Geçiş

● Düşük Direnç(Rdson≤0,5Ω)

● Düşük Geçit Yükü (Tip: 65nC)

● Düşük Ters Transfer Kapasiteleri (Tip: 20pF)

● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi

● %100 ΔVDS Testi

3 Uygulama

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.

● Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
650V	0,37Ω	20A