未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » МОСФЕТ



Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

МОСФЕТ

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
7A 700V N-канальный режим режима Power Mosfet D7N70 до 252B D7N70 До 252b 700 В. 7A 英文版 D7N70 技术规格书 .pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 10A 700V D10N70 до 252B D10N70 До 252b 700 В. 10а 英文版 D10N70 技术规格书 Rev1.0.pdf
2A 650V N-канальный режим улучшения мощности Mosfet B2N65 B2N65 До 251b 650 В. 2A 英文版 B2n65 技术规格书 .pdf
4A 600V N-канальный режим режима Power Mosfet B4N60 B4N60 До 251b 600 В. 4а 英文版 B4n60 技术规格书 .pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 4A 800V B4N80 до 251B B4N80 До 251b 800 В. 4а 英文版 B4N80 技术规格书 .pdf
5A 650V N-канальный режим режима Power Mosfet B5N65 до 251B B5N65 До 251b 650 В. 5A 英文版 B5n65 技术规格书 max.pdf
50A 200 В. F50N20 До-220f 200 В 50а Устройство F50N20 спецификация (1) .pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5n65c До-220c 650 В. 5A 英文版 5n65c 技术规格书 .pdf
8A 650V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 До-220f 650 В. 8а F8n65 技术规格书 .pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 7A 700V B7N70 до 251B B7N70 До 251b 700 В. 7A 英文版 B7n70 技术规格书 .pdf
N-канальный режим режима мощности Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 До 263 500 В. 13а 英文版 e13n50 技术规格书 .pdf
180a 60 В n-канальный режим улучшения мощности Mosfet DHS015N06 до-220c DHS015N06 До-220c 60 В 180a Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+DataSheet+Rev.1.0.pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 180A 60V DHS015N06E до 263 DHS015N06E До 263 60 В 180a Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+DataSheet+Rev.1.0.pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 5A 650V D5N65-XAD до 252B D5N65-XAD До 252b 650 В. 5A 英文版 d5n65-xad 技术规格书 .pdf
13A 100 В P-канала режим улучшения мощности MOSFET18P10D до 252B 18p10d До 252b -100 В. -13a Устройство 18P10 Спецификация.pdf
100a 30 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
18A 200 В N-канальный режим улучшения мощности Mosfet D18N20 до 252B D18N20 До 252b 200 В 18а Устройство D18N20 Спецификация Rev.1.0.pdf
9A 200 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET D630 TO-252B D630 До 252b 200 В 9а Устройство 630 Specification.pdf
120A 98V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R До-220c 98В 120a Устройство DH90N045RSM2 Specification.pdf
P-Channel Mode Mode Power MOSFET 40A 100V DH100P40D до 252B DH100P40D До 252b -100 В. -40a Устройство DH100P40D Specification.pdf

Продукт видео



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com