85V/0.9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A PEAJE

MOSFET N de 85 V/0,9 mΩ/360 A 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

• Calificación AEC-Q101

• RDS (encendido) de resistencia extremadamente baja

• Temperatura de funcionamiento de 175°C 

• Revestimiento libre de Pb/libre de halógenos/cumple con RoHS

• 100% protegido contra avalanchas

• Prueba 100% ΔVDS

3 Aplicación

• Control y accionamiento de motores

• Carga/Descarga del Sistema de Gestión de Baterías

• Rectificador síncrono para SMPS

• Aplicaciones automotrices

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
85V	0,9 mΩ	360A