85V/0,9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A PÉAGE

85 V/0,9 mΩ/360 A N-MOSFET 

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

• Qualifié AEC-Q101

• RDS(on) à résistance à l'état passant extrêmement faible

• Température de fonctionnement de 175 °C 

• Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS

• 100 % de protection contre les avalanches

• Test 100 % ΔVDS

3 Demande

• Contrôle et entraînement du moteur

• Charge/décharge pour le système de gestion de batterie

• Redresseur synchrone pour SMPS

• Applications automobiles

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
85V	0,9 mΩ	360A