85 V/0,9 mΩ/360 A N-MOSFET DSU011N08N3A PEDAGGIO

MOSFET N da 85 V/0,9 mΩ/360 A 

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

• Qualificato AEC-Q101

• RDS(on) con resistenza estremamente bassa

• Temperatura di esercizio 175°C 

• Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS

• Protezione contro le valanghe al 100%.

• Test ΔVDS al 100%.

3 Applicazione

• Controllo e azionamento del motore

• Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria

• Raddrizzatore sincrono per SMPS

• Applicazioni automobilistiche

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
85 V	0,9 mΩ	360A