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Paquete DSG019N04L TO-220C

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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40V/1.6MΩ/180A N-MOSFET


1 descripción 

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características


● RDS extremadamente bajo en resistencia (encendido)

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 

Capazante sin PB/ halógeno/ ROHS


3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor

● Carga/descarga para el sistema de gestión de la batería

● Rectificador sincrónico para SMPS



VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
40V 1.6mΩ 180A


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