Paquete DSG019N04L TO-220C

MOSFET N de 40 V/1,6 mΩ/180 A

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● RDS de extremadamente baja resistencia (encendido)

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

Revestimiento sin Pb/sin halógenos/cumple con RoHS

3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor.

● Carga/Descarga para el sistema de gestión de baterías

● Rectificador síncrono para SMPS

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
40V	1,6 mΩ	180A