geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » 12V-300V N MOS » DSG019N04L TO-220C Paket

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

DSG019N04L TO-220C Paketi

Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur.
Kullanılabilirlik:
Miktar:

40V/1.6MΩ/180A N-MOSFET


1 Açıklama 

Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik


● Son derece düşük dirençli RDS (ON)

● Düşük ters transfer kapasitansları

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 

PB içermeyen kaplama/ halojensiz/ rohs uyumlu


3 Uygulama 

● Motor kontrolü ve sürüşü

● Pil yönetim sistemi için şarj/deşarj

● SMP'ler için senkron doğrultucu



VDSS RDS (ON) (tip) İD
40V 1.6mΩ 180a


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun