ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ » MOSFET » 12V-300V N MOS » ຊຸດ DSG019N04L TO-220C

ແບ່ງປັນໄປທີ່:

ຊຸດ DSG019N04L TO-220C

Mosfets ຮູບແບບການເພີ່ມປະສິດທິພາບ N-channel ເຫຼົ່ານີ້ໄດ້ນໍາໃຊ້ການອອກແບບເທກໂນໂລຍີ splite gate trench ກ້າວຫນ້າ, ສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າປະຕູຕ່ໍາ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.

ມີ:

ປະລິມານ:



ສອບຖາມ ເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າ

ຕົວແບບ:
DSG019N04L
ຍີ່ຫໍ້:
WXDH
ຕົວແບບ:
DSG019N04L
ຊຸດ:
TO-220C
ແຜ່ນຂໍ້ມູນ:
Donghai_DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
V:
40V
A:
180A

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

40V/1.6mΩ/180A N-MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ

Mosfets ຮູບແບບການປັບປຸງ N-channel ເຫຼົ່ານີ້ໄດ້ນໍາໃຊ້ການອອກແບບເຕັກໂນໂລຢີປະຕູຮົ້ວ splite ຂັ້ນສູງ, ສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.

2 ຄຸນສົມບັດ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ RDS ຕໍ່າຫຼາຍ (ເປີດ)

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche avalanche ດຽວ

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ

ແຜ່ນ Pb-free/Halogen-Free/ RoHS ສອດຄ່ອງ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ຄວບຄຸມມໍເຕີ ແລະຂັບ

● ການສາກໄຟ/ການປົດສາກສຳລັບລະບົບການຈັດການແບັດເຕີຣີ

● Synchronous Rectifier ສໍາລັບ SMPS

VDSS	RDS(ເປີດ)(TYP)	ID
40V	1.6mΩ	180A

ທີ່ຜ່ານມາ:

ຕໍ່ໄປ:

MOSFET

ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງກັບ inbox ຂອງທ່ານ

ສົ່ງ

ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາ
ກ່ຽວກັບ LETOR
ລິ້ງເພີ່ມເຕີມ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ

ອີເມວ:

sales@wxdh.com .cn

ຕັ້ງໂຕະ:

+86-510-85307789
ເຄືອຂ່າຍສັງຄົມ