DSG019N04L TO-220C-Paket

40 V/1,6 mΩ/180 A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Extrem niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

Bleifreie Beschichtung/Halogenfrei/RoHS-konform

3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem

● Synchrongleichrichter für SMPS

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
40V	1,6 mΩ	180A