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DSG019N04L To-220C-Paket

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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40 V/1,6 mΩ/180a N-Mosfet


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale


● Extrem niedrige RDS-Resistenz-RDS (ON)

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

Pb-freie Beschichtung/ Halogenfrei/ ROHS-konform


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Ladung/Entladung für das Batterieverwaltungssystem

● Synchrone Gleichrichter für SMPs



VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
40V 1,6 mΩ 180a


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