40V/1.6mΩ/180A N-MOSFET
1 विवरण
इन एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर मॉस्फ़ेट्स में उन्नत स्प्लिट गेट ट्रेंच तकनीक डिज़ाइन का उपयोग किया गया है, जो उत्कृष्ट आरडीसन और कम गेट चार्ज प्रदान करता है। जो RoHS मानक के अनुरूप है।
2 विशेषताएं
● बेहद कम ऑन-रेज़िस्टेंस आरडीएस(ऑन)
● कम रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस
● 100% एकल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा परीक्षण
● 100% ΔVDS परीक्षण
पीबी-मुक्त प्लेटिंग/हैलोजन-मुक्त/आरओएचएस अनुरूप
3 अनुप्रयोग
● मोटर नियंत्रण और ड्राइव
● बैटरी प्रबंधन प्रणाली के लिए चार्ज/डिस्चार्ज
● एसएमपीएस के लिए सिंक्रोनस रेक्टिफायर
| वीडीएसएस |
आरडीएस(चालू)(टीवाईपी) |
पहचान |
| 40V |
1.6mΩ |
180ए |