未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
You Are Here: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » DSG019N04L TO-220C Paket

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

Paket DSG019N04L TO-220C

Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi parit gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

40V/1.6MΩ/180A N-MOSFET


1 deskripsi 

Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi parit gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur


● RDS yang sangat rendah (aktif)

● Kapasitansi transfer terbalik rendah

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 

PB-FREE Plating/ Halogen-Free/ ROHS sesuai


3 aplikasi 

● Kontrol dan penggerak motor

● Pengisian daya/pelepasan untuk sistem manajemen baterai

● Penyearah sinkron untuk SMPS



VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
40v 1.6mΩ 180a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com