40V/1,6mΩ/180A N-MOSFET
1 Deskripsi
MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini menggunakan desain teknologi parit gerbang terpisah yang canggih, memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● RDS(on) dengan resistansi sangat rendah
● Kapasitansi transfer balik yang rendah
● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal
● Tes ΔVDS 100%.
Pelapisan bebas Pb/Bebas Halogen/ Sesuai RoHS
3 Aplikasi
● Kontrol dan penggerak motor
● Pengisian/Pengosongan untuk Sistem Manajemen Baterai
● Penyearah Sinkron untuk SMPS
| VDSS |
RDS(aktif)(TYP) |
PENGENAL |
| 40V |
1,6mΩ |
180A |