40V/1,6mΩ/180A N-MOSFET
1 Kuvaus
Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.
2 Ominaisuudet
● Erittäin alhainen päällekytkentävastus RDS(päällä)
● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit
● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
● 100 % ΔVDS-testi
Pb-vapaa pinnoitus/halogeeniton/RoHS-yhteensopiva
3 Sovellukset
● Moottorin ohjaus ja käyttö
● Akun hallintajärjestelmän lataus/purkaus
● Synkroninen tasasuuntaaja SMPS:lle
| VDSS |
RDS(päällä)(TYP) |
ID |
| 40V |
1,6 mΩ |
180A |