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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Ensemble DSG019N04L TO-220C

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, offrant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

40 V/1,6 mΩ/180 A N-MOSFET


1 Descriptif 

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, fournissant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques


● RDS(on) à résistance à l'état passant extrêmement faible

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 

Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS


3 candidatures 

● Contrôle et entraînement du moteur

● Charge/Décharge pour le système de gestion de batterie

● Redresseur synchrone pour SMPS



VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
40V 1,6 mΩ 180A


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