40 V/1,6 mΩ/180 A N-MOSFET
1 Descriptif
Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, fournissant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● RDS(on) à résistance à l'état passant extrêmement faible
● Faibles capacités de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test 100 % ΔVDS
Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS
3 candidatures
● Contrôle et entraînement du moteur
● Charge/Décharge pour le système de gestion de batterie
● Redresseur synchrone pour SMPS
| VDSS |
RDS (activé) (TYP) |
IDENTIFIANT |
| 40V |
1,6 mΩ |
180A |