100V/5.9mΩ/100AN-MOSFET DSG070N10L3 TO-220C

MOSFET N de 100 V/5,9 mΩ/100 A

1 Descripción 

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

● Recubrimiento sin Pb / Sin halógenos / Cumple con RoHS

3 aplicaciones 

• Control y accionamiento de motores 

• Carga/Descarga del Sistema de Gestión de Baterías 

• Rectificador síncrono para SMPS

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	5,9 mΩ	100A