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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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100V/5.9mΩ/100an-Mosfet DSG070N10L3 TO-220C

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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100V/5.9MΩ/100A N-MOSFET


1 descripción 

Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Bajo en resistencia 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS

● Capazante de placas sin PB / sin halógeno / ROHS


3 aplicaciones 

• Control y unidad del motor 

• Carga/descarga para el sistema de gestión de la batería 

• Rectificador sincrónico para SMPS


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
100V 5.9mΩ 100A


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