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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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100V/5,9mΩ/100AN-MOSFET DSG070N10L3 TO-220C

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
Verfügbarkeit:
Menge:

100 V/5,9 mΩ/100 A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform


3 Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb 

• Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem 

• Synchrongleichrichter für SMPS


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
100V 5,9 mΩ 100A


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