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100V/5.9mΩ/100AN-MOSFET DSG070N10L3 TO-220C

इन एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर मॉस्फ़ेट्स ने उन्नत स्प्लिट गेट ट्रेंच तकनीक डिज़ाइन का उपयोग किया, जो उत्कृष्ट आरडीएसन और कम गेट चार्ज प्रदान करता है। जो RoHS मानक के अनुरूप है।
उपलब्धता:
मात्रा:

100V/5.9mΩ/100A N-MOSFET


1 विवरण 

यह एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर MOSFET उन्नत स्प्लिट गेट ट्रेंच तकनीक का उपयोग करता है, जो एक ही समय में उत्कृष्ट Rdson और कम गेट चार्ज प्रदान करता है। जो RoHS मानक के अनुरूप है। 


2 विशेषताएं 

● प्रतिरोध कम होना 

● कम रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस

● 100% एकल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा परीक्षण 

● 100% ΔVDS परीक्षण

● पीबी-मुक्त प्लेटिंग / हैलोजन-मुक्त / RoHS अनुरूप


3 अनुप्रयोग 

• मोटर नियंत्रण और ड्राइव 

• बैटरी प्रबंधन प्रणाली के लिए चार्ज/डिस्चार्ज 

• एसएमपीएस के लिए सिंक्रोनस रेक्टिफायर


वीडीएसएस आरडीएस(चालू)(टीवाईपी) पहचान
100V 5.9mΩ 100ए


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