120A 40V N-Canal Modo de mejora MOSFET
1 descripción
Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga db5aa05=Dispositivo 20N50 Especificación (1) .pdf
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Cambio rápido
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Sistema de gestión de inversores
● Herramientas eléctricas
● Electrónica automotriz
VDSS |
RDS (ON) (typ) |
IDENTIFICACIÓN |
40V |
3.5mΩ |
120a |