120A 40V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DH033N04 TO-220C

120A 40V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET

1 kirjeldus 

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid täiustatud kraavi tehnoloogia disainilahendust, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. 

2 funktsiooni 

● Madal takistus 

● Madala väravatasu 

● Kiire vahetamine 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti 

● 100% ΔVDS -test 

3 rakendust 

● Toitelülitusrakendused 

● Inverteri haldussüsteem 

● Elektrilised tööriistad 

● Autotööstuse elektroonika

VDSS	RDS (ON) (tüüp)	Isikutunnistus
40 V	3,5m Ω	120A