Disponibilité: | |
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Quantité: | |
DH033N04
Wxdh
À 220c
40V
120a
120a 40V Mode d'amélioration du canal N MOSFET
1 Description
Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Faible de résistance
● Charge de porte basse
● Commutation rapide
● Capacités de transfert inverse faibles
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Applications de commutation d'alimentation
● Système de gestion de l'onduleur
● outils électriques
● Electronique automobile
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
40V | 3,5 mΩ | 120a |
120a 40V Mode d'amélioration du canal N MOSFET
1 Description
Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Faible de résistance
● Charge de porte basse
● Commutation rapide
● Capacités de transfert inverse faibles
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Applications de commutation d'alimentation
● Système de gestion de l'onduleur
● outils électriques
● Electronique automobile
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
40V | 3,5 mΩ | 120a |