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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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21A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247

21A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET
Disponibilidad:
Cantidad:

21A 650V N-canal Super Junction Power Mosfet


1 descripción 

Estos VDMOSFET mejorados con canal N, están utilizando tecnología y diseño avanzados de Super Junction para proporcionar un excelente RDSON con baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Cambio rápido 

● Baja de resistencia (rdson≤0.165Ω) 

● Baja carga de puerta (típ: 50 nc) 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 3.5pf)

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Corrección del factor de potencia (PFC). 

● Suministros de alimentación del modo conmutado (SMPS). 

● Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS). 

● convertidores de CA a DC 

● Telecom, solar

VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
650V 145mΩ 21A


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