MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 21A 650V DHSJ21N65W TO-247

MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 21 A y 650 V

1 Descripción 

Estos vdmosfets mejorados de canal N utilizan tecnología y diseño avanzados de súper unión para proporcionar un Rdson excelente con una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia (Rdson≤0.165Ω) 

● Carga de puerta baja (tipo: 50 nC) 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 3,5 pF)

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Corrección del factor de potencia (PFC). 

● Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). 

● Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS). 

● Convertidores de CA a CC 

● Telecomunicaciones, energía solar

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
650V	145mΩ	21A