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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance à super jonction canal N 21A 650V DHSJ21N65W TO-247

MOSFET de puissance à super jonction canal N 21 A, 650 V
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance à super jonction canal N 21 A 650 V


1 Descriptif 

Ces vdmosfets améliorés à canal N utilisent une technologie et une conception avancées de super jonction pour fournir un excellent Rdson avec une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Commutation rapide 

● Faible résistance (Rdson≤0,165Ω) 

● Faible charge de grille (type : 50 nC) 

● Faibles capacités de transfert inverse (type : 3,5 pF)

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures 

● Correction du facteur de puissance (PFC). 

● Alimentations à découpage (SMPS). 

● Alimentation sans interruption (UPS). 

● Convertisseurs AC vers DC 

● Télécom, Solaire

VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
650V 145 mΩ 21A


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