kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt vagy: Otthon » Termékek » Mosfet » 12V-300V N MOS » 21a 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

21a 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247

21a 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET
elérhetőség:
Mennyiség:

21a 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET


1 Leírás 

Ezek az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-ek fejlett Super Junction technológiát és dizájnt használnak, hogy kiváló RDSON-t biztosítsanak alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

● Gyors váltás 

● Alacsony az ellenállás (RDSON≤0.165Ω) 

● Alacsony kapu töltés (TIP: 50NC) 

● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 3,5PF)

● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt 

● 100% ΔVDS teszt 


3 alkalmazás 

● Teljesítménytényező korrekció (PFC). 

● Kapcsolt üzemmódú tápegységek (SMP). 

● Szünetmentes tápegység (UPS). 

● AC -TO DC konverterek 

● Távközlési napenergia

VDSS Rds (be) (typ) Személyazonosság
650 V -os 145MΩ 21A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába