kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » MOSFET » 12V-300V N MOS » 21A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

21A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247

21A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET
Elérhetőség:
Mennyiség:

21A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET


1 Leírás 

Ezek az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfet-ek fejlett szuper junction technológiát és kialakítást használnak, hogy kiváló Rdson-t biztosítsanak alacsony kaputöltés mellett. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

● Gyors váltás 

● Alacsony ellenállás (Rdson≤0,165Ω) 

● Alacsony kaputöltés (Típus: 50nC) 

● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 3,5 pF)

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt 

● 100% ΔVDS teszt 


3 Alkalmazások 

● Teljesítménytényező korrekció (PFC). 

● Kapcsolt üzemmódú tápegységek (SMPS). 

● Szünetmentes tápegység (UPS). 

● AC-DC átalakítók 

● Telecom, Solar

VDSS RDS(be)(TYP) ID
650V 145 mΩ 21A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket