21A 650V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ21N65W TO-247

21 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-verstärkten VDMAsfets nutzen fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um exzellenten Rdson mit niedriger Gate-Ladung bereitzustellen. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,165Ω) 

● Geringe Gate-Ladung (Typ: 50 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 3,5 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC). 

● Schaltnetzteile (SMPS). 

● Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV). 

● AC/DC-Wandler 

● Telekommunikation, Solar

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
650V	145 mΩ	21A