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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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21A 650V N-Kanal Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247

21A 650V N-Kanal Super Junction Power MOSFET
Verfügbarkeit:
Menge:

21a 650 V N-Kanal Super Junction Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwenden fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Entechnik, um einen hervorragenden RDSON mit niedriger Gate-Ladung zu bieten. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 0,165 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 50 nc) 

● Niedrige Rückwärtsübertragungskapazität (Typ: 3.5PF)

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC). 

● STWANTEDED MODE NETZUNGEN (SMPS). 

● Unterbrechungsfreies Stromversorgung (UPS). 

● Wechselstrom zu DC -Konvertern 

● Telecom , Solar

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
650 V 145m Ω 21a


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