MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 21 A 650 V DHSJ21N65W TO-247

MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 21 A 650 V

1 Descrizione 

Questi vdmosfet potenziati a canale N utilizzano la tecnologia e il design avanzati della super giunzione per fornire un eccellente Rdson con una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida 

● Bassa resistenza (Rdson≤0,165Ω) 

● Carica gate bassa (tip.: 50nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 3,5 pF)

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni 

● Correzione del fattore di potenza (PFC). 

● Alimentatori a commutazione (SMPS). 

● Gruppo di continuità (UPS). 

● Convertitori CA-CC 

● Telecomunicazioni, solare

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
650 V	145 mΩ	21A