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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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160A 30V N-canal Modo de mejora MOSFET DH020N03P 5X6-8

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
 
Disponibilidad:
Cantidad:

160A 30V MODANCO DE MEDIA DE MEDIA DEL CANNO MOSFET


1Descripción 

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido 

● Sistema de gestión de inversores 

● Herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz

VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
30V 1.5mΩ 160A


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