gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 160A 30V N-Channel Mode Peningkatan Daya MOSFET DH020N03P 5X6-8

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

160A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DH020N03P 5x6-8

Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
 
Tersedianya:
Kuantitas:

160A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1Deskripsi 

Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Rendah pada resistensi 

● Biaya gerbang rendah 

● Pergantian cepat 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi 

● Aplikasi switching daya 

● Sistem manajemen inverter 

● Alat listrik 

● Elektronik otomotif

VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
30v 1.5mΩ 160a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda