Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 160A 30V DH020N03P 5x6-8

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
 
Disponibilité:
Quantité:

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 160 A 30 V


1Description 

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Commutation rapide 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures 

● Applications de commutation de puissance 

● Système de gestion de l'onduleur 

● Outils électriques 

● Electronique automobile

VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
30V 1,5 mΩ 160A


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