180A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS021N04 TO-220C

180A 40V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus Näissä N-kanavan tehostustilan tehomosfeteissa käytettiin edistynyttä splitte gate kaivannon teknologiaa, mikä tarjosi erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Nopea vaihto 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 

3 Sovellukset 

● Synkroninen tasasuuntaus SMPS:ssä

● Kova kytkentä ja suurnopeuspiiri 

● Sähkötyökalut 

● UPS 

● Moottorin ohjaus

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
40V	2mΩ	180A