180A 40V N-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET DHS021N04 TO-220C

180a 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design, die hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung bildeten. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf 

● Elektrowerkzeuge 

● ups 

● Motorsteuerung